2024年12月20日 星期五 新京报
在传统存储产品方面，10nm以下DRAM制造工艺正成为主流，并逐步向7nm工艺突破，通过“FinFET架构+TSV技术”提升密度、降低功耗。3D NAND堆叠层数突破400层后，“垂直堆叠”难度加剧，厂商转向“水平扩展+架构优化”，比如三星V-NAND的阶梯式架构、Kioxia的BiCS架构，同时引入“HKC（高K介质+金属栅）”技术，解决高层数堆叠的漏电、散热问题，制造工艺从“层数竞赛”转向“架构+工艺”双重竞争。
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“本来应该从从容容、游刃有余！现在是匆匆忙忙、连滚带爬！”这本来是台湾地区一位民意代表王世坚批评台北市市政管理混乱说的话，但是由于他讲话的语气相当有节奏感，富有张力，后来还被博主改编成了歌曲《没出息》，于是迅速火爆全网。不过最近，国务院台办发言人表示，这个人一边靠着“没出息”的改编热度，在网络上蹭眼球，一边又大放厥词刷存在，这种自相矛盾的作秀，真是没出息。